功率轉(zhuǎn)換器將輸入能量的屬性值（如幅度、頻率、相位）轉(zhuǎn)化為期望輸出的其他值。在現(xiàn)代工業(yè)中，對(duì)各種功率轉(zhuǎn)換器的性能要求在容量、電壓等級(jí)、效率和尺寸（與開關(guān)頻率相關(guān)的問題）方面越來越嚴(yán)格。

為了提高現(xiàn)有功率轉(zhuǎn)換器的性能，用寬禁帶 (WBG) 開關(guān)器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅開關(guān)器件，氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）和碳化硅（SIC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是目前最常用的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料具有比硅材料更優(yōu)越的特性。

寬禁帶半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)使得GaN HEMT在低功率（<1 kW）到中功率（<10 kW）應(yīng)用中得到了更多的采用，SiC MOSFET更適用于中功率（<10kW）到高功率（>10 kW）的應(yīng)用。

【資料圖】

目前，GaN HEMT的優(yōu)點(diǎn)尚未得到充分利用，因?yàn)镚aN和襯底之間的熱阻較大，會(huì)導(dǎo)致自熱問題，可能導(dǎo)致開關(guān)器件過熱。然而，GaN HEMT可以提供更高的效率和開關(guān)速度，SiC MOSFET提供更高的電壓、電流和溫度特性。

使用寬禁帶半導(dǎo)體開關(guān)器件的主要挑戰(zhàn)是克服其高轉(zhuǎn)換率帶來的潛在問題，這可能會(huì)惡化電磁干擾（EMI）水平，并可能導(dǎo)致電壓振蕩和不穩(wěn)定。

可以確定的是，隨示波器一起交付的標(biāo)準(zhǔn)無源探頭不適用于一般功率分析。這種應(yīng)用需要一個(gè)更具體的解決方案，這個(gè)解決方案是根據(jù)您希望采用的探測(cè)技術(shù)以及要測(cè)試的功率器件類型來定義的。

確定功率轉(zhuǎn)換探測(cè)需要的最佳探頭的一個(gè)簡(jiǎn)單方法是：首先，確定您是在進(jìn)行功率器件研究還是系統(tǒng)開發(fā)。

探頭的選擇取決于：

■ 半橋的上管還是下管的測(cè)量

■ 電壓范圍

–汽車：48 V

–電源：>100 V

■ 開關(guān)頻率/上升時(shí)間

–SiC或GaN

半橋的上管–不參考地的電壓

半橋的下管–相對(duì)于地的電壓

02-測(cè)量下管Vds信號(hào)

03-測(cè)量上管Vgs信號(hào)

04-測(cè)量上管Vds信號(hào)

T3AWG3352提供一個(gè)PWM輸入，電路板可以工作到2 MHz。使用DL10-ISO探頭測(cè)量上管柵極，而使用DL10-HCM探頭測(cè)量下管柵極。總線電壓也由T3PS3000提供，但電壓限制到40 V，輸出電流波形由CP30A電流探頭測(cè)量。

帶寬：350 MHz, 700 MHz 和1GHz

輸入電壓：2 V 到2500 V

共模電壓：60 kV

160 dB CMRR

1.5% 的系統(tǒng)增益精度

上升時(shí)間：435ps

無需斷開也可自動(dòng)歸零

靈活的連接方式

力科高壓光隔離探頭主要應(yīng)用：

服務(wù)器、主板、照明和樓宇自動(dòng)化、住宅逆變器、UPS、開關(guān)電源、家用和商用電器中的電機(jī)等

力科（Teledyne Lecroy）是高端示波器、協(xié)議分析儀和其他測(cè)試儀器的領(lǐng)先制造商，可快速全面地驗(yàn)證電子系統(tǒng)的性能和合規(guī)性，并進(jìn)行復(fù)雜的調(diào)試分析。

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