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摘要：以GaN 為代表的新一代半導體材料具有寬禁帶、高電子飽和速率、高擊穿場強等優(yōu)異的電學性能，使得射頻、電力電子器件有了具備更高功率能力的可能，目前限制器件功率提升的主要瓶頸是缺少與之匹配的散熱手段。具有極高熱導率的金剛石已成為提升器件散熱能力的重要材料，學術(shù)界針對金剛石與功率器件集成的先進熱管理技術(shù)已經(jīng)開展了大量有益的研究與探索，但是由于金剛石具有極強的化學惰性和超高的硬度，在實際集成和工藝加工過程中，金剛石-GaN 界面容易出現(xiàn)熱性能和可靠性問題，甚至會導致器件失效。對金剛石熱管理技術(shù)的研究進展和存在的問題進行了深入分析，并對未來主要工作方向做了展望。

關(guān)鍵詞：熱管理；功率器件；金剛石；嵌入式冷卻

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來源：DT半導體

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