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摘要：以GaN 為代表的新一代半導(dǎo)體材料具有寬禁帶、高電子飽和速率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的電學(xué)性能，使得射頻、電力電子器件有了具備更高功率能力的可能，目前限制器件功率提升的主要瓶頸是缺少與之匹配的散熱手段。具有極高熱導(dǎo)率的金剛石已成為提升器件散熱能力的重要材料，學(xué)術(shù)界針對(duì)金剛石與功率器件集成的先進(jìn)熱管理技術(shù)已經(jīng)開(kāi)展了大量有益的研究與探索，但是由于金剛石具有極強(qiáng)的化學(xué)惰性和超高的硬度，在實(shí)際集成和工藝加工過(guò)程中，金剛石-GaN 界面容易出現(xiàn)熱性能和可靠性問(wèn)題，甚至?xí)?dǎo)致器件失效。對(duì)金剛石熱管理技術(shù)的研究進(jìn)展和存在的問(wèn)題進(jìn)行了深入分析，并對(duì)未來(lái)主要工作方向做了展望。

關(guān)鍵詞：熱管理；功率器件；金剛石；嵌入式冷卻

原文

來(lái)源：DT半導(dǎo)體

關(guān)鍵詞：