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華盛頓——2023年9月7日——美國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會（SIA）今日宣布，美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra將獲得SIA最高榮譽(yù)羅伯特·諾伊斯獎（Robert N. Noyce Award）。

SIA每年頒發(fā)諾伊斯獎，以表彰在技術(shù)或公共政策方面為半導(dǎo)體行業(yè)做出杰出貢獻(xiàn)的領(lǐng)袖。Mehrotra將在2023年11月16日于加利福尼亞州圣何塞舉行的SIA頒獎晚宴上接受該獎項。

“Sanjay是我們行業(yè)中一位非常有成就的領(lǐng)導(dǎo)者，也是STEM教育倡議和多元化、包容性半導(dǎo)體人才隊伍倡導(dǎo)者，”SIA總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer說道。“在超過40年的職業(yè)生涯中，Sanjay為推動我們的行業(yè)、技術(shù)和勞動力的發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。我們很高興為他頒發(fā)2023年羅伯特·諾伊斯獎，以表彰他所取得的諸多成就。”

Mehrotra在2017年加入美光之前，在SanDisk公司任職。自1988年公司成立直至2016年出售，他一直擔(dān)任該公司的領(lǐng)導(dǎo)職務(wù)。作為SanDisk的聯(lián)合創(chuàng)始人，他還在2011年到2016年期間擔(dān)任該公司的總裁兼首席執(zhí)行官，見證其成長為業(yè)界領(lǐng)先的財富500強(qiáng)公司。Mehrotra在半導(dǎo)體存儲行業(yè)擁有40多年的經(jīng)驗，曾在Integrated Device Technology、SEEQ Technology和英特爾公司擔(dān)任過工程和領(lǐng)導(dǎo)職務(wù)。

在美光，Mehrotra正在推動全球半導(dǎo)體制造的進(jìn)步。在《芯片和科學(xué)法案》通過后，美光宣布計劃在愛達(dá)荷州和紐約投資尖端內(nèi)存制造，其中紐約的工廠將是美國20年來首個新建的內(nèi)存制造廠。美光還宣布計劃投資位于日本廣島的工廠、中國西安的組裝和測試工廠以及印度的另一個組裝工廠。

諾伊斯獎以半導(dǎo)體行業(yè)先驅(qū)羅伯特·N·諾伊斯的名字命名，他是Fairchild Semiconductor和英特爾公司的聯(lián)合創(chuàng)始人。

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