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對(duì)于導(dǎo)電性能不好的樣品如半導(dǎo)體材料，絕緣體薄膜，在電子束的作用下。

其表面會(huì)產(chǎn)生一定的負(fù)電荷積累，這就是俄歇電子能譜中的荷電效應(yīng)·樣品表面荷電相當(dāng)于給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓， 使得測(cè)得的俄歇?jiǎng)幽鼙日５囊汀ぴ诙硇娮幽茏V中。

由于電子束的束流密度很高，樣品荷電是一個(gè)很嚴(yán)重的問題·有些導(dǎo)電性不好的樣品，經(jīng)常因?yàn)楹呻妵?yán)重而不能獲得俄歇譜·但由于高能電子的穿透能力以及樣品表面二次電子的發(fā)射作用。

對(duì)于一般在100nm厚度以下的絕緣體薄膜，如果基體材料能導(dǎo)電的話，其荷電效應(yīng)幾乎可以自身消除·因此。

對(duì)于一般的薄膜樣品，一般不用考慮其荷電效應(yīng)·。

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