電子化學(xué)品—光刻膠

光刻技術(shù)是利用光化學(xué)反應(yīng)原理和刻蝕方法將掩模版上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術(shù)，原理起源于印刷技術(shù)中的照相制版。光刻膠，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料，主要應(yīng)用于顯示面板、印刷電路板、集成電路三大領(lǐng)域，分別為面板光刻膠（也稱“LCD光刻膠”）、PCB光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠（也稱“芯片光刻膠”）。

(資料圖)

通常半導(dǎo)體芯片在制造過程中需要進(jìn)行 10-50 道光刻過程，占芯片制造時間的 40-50%，占制造成本的 30%。光刻膠是光刻工藝中最重要的耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能以及器件可靠性直接相關(guān)。光刻膠在全球晶圓制造材料市場中占比 6.1%。

根據(jù)曝光波長的不同，目前市場上應(yīng)用較多的光刻膠可分為 G 、I 、KrF 、ArF 和 和EUV等5種類型。光刻膠波長越短，加工分辨率越高。

為適應(yīng)集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻膠波長也在不斷縮短。g/i 線光刻膠在于在1970年代，當(dāng)時主流制程工藝在 0.8-1.2μm，適用于波長 436nm 的光刻光源。

到了 90 年代，制程進(jìn)步到 0.35-0.5μm，波長 365nm 光源。當(dāng)制程發(fā)展到 0.35μm 以下時，g/i 線光刻膠已經(jīng)無法滿足制程工藝的需求，開始使用 248 納米波長光源的 KrF 光刻膠，和 193 納米波長光源的 ArF 光刻膠，兩者均是深紫外光刻膠。EUV（極紫外光）是目前最先進(jìn)的光刻膠技術(shù)，適用波長為 13.5nm 的紫外光，可用于 7nm 以下的先進(jìn)制程，目前僅有 ASML 掌握 EUV光刻膠所對應(yīng)的光刻機(jī)技術(shù)。

光刻膠行業(yè)格局：全球光刻膠市場主要為國外企業(yè)壟斷，日本的東京應(yīng)化、日本JSR、住友化學(xué)和美國杜邦公司占有全球69.4%的市場份額。

日本東京應(yīng)化在G/I線光刻膠、KrF光刻膠和EUV光刻膠的市場份額位居第一，分別是25.2%、31.4%和51.8%，日本JSR則在ArF光刻膠領(lǐng)域的市場份額最大，達(dá)24.9%。國產(chǎn)光刻膠企業(yè)市場占有率低，現(xiàn)在處于替代階段，整體市場占有率較低。在面板，PCB光刻膠領(lǐng)域市場國產(chǎn)化程度相對于半導(dǎo)體光刻膠較高。

光刻膠為何壁壘高？核心是因為光刻機(jī)我們沒辦法國產(chǎn)化，光刻膠生產(chǎn)出來需要進(jìn)行實驗，實驗需要用到光刻機(jī)，這塊費用就比較高昂，限制了大部分企業(yè)。

其次，是光刻膠的原料，化學(xué)樹脂，引發(fā)劑，溶劑，單體，同時還需要調(diào)制配方，這塊也需要不斷是實驗試錯。最后是客戶壁壘也很高，需要送樣給下游客戶，客戶要不斷的驗證，因為光刻膠的品質(zhì)和穩(wěn)定性都決定了集成電路的品質(zhì)，所以下游客戶更換光刻膠企業(yè)，不單單看價格，更加看重品質(zhì)，即使價格高，品質(zhì)高也買。

全球光刻膠（包括面板，PCB）規(guī)模在80-90億美元，折合人民幣規(guī)模在600億左右。中國大陸集成電路光刻膠市場達(dá) 41.1 億元，其中 g/i 線光刻膠市場規(guī)模約 8.79 億元，ArF/KrF 市場規(guī)模達(dá) 32.31 億元。

其中 2021 年 g/i線刻膠國產(chǎn)化率約 20%，KrF光刻膠國產(chǎn)化率不足 2%，ArF/ ArFi 光刻膠國產(chǎn)化率不足 1%。光刻膠我國市場規(guī)模在100億左右，市場規(guī)模不是特別大，但是國產(chǎn)化率整體很低，10%左右，90%的市場被海外企業(yè)占據(jù)。

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本報告由研究助理協(xié)助資料整理，由投資顧問撰寫。投資顧問：胡祥輝（登記編號：A0740620080005）

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