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中微公司(688012):23Q2業(yè)績符合預期 新產(chǎn)品研發(fā)進展順利

2023-08-30 01:16:18 來源:中泰證券股份有限公司

評論

事件概述:


(相關(guān)資料圖)

公司發(fā)布2023 年中報:1)23H1 實現(xiàn)收入25.3 億元,yoy+28.1%;歸母凈利潤10.0 億元,yoy+114.4%;扣非歸母凈利潤5.2 億元,yoy+17.8%,毛利率45.9%,同比+0.53pcts。

2)23Q2 收入13.0 億元,yoy+27.5%,qoq+6.5%;歸母凈利潤7.3 億元,yoy+107.5%,qoq+164.7%;扣非歸母凈利潤2.9 億元,yoy+14.5%,qoq+27.6%,毛利率45.9%,同比+0.63pcts,環(huán)比持平。扣非歸母凈利率22.3%,同比-2.5pcts,環(huán)比+3.7pcts。此前Q2 業(yè)績預告營收為13.0 億元,扣非歸母2.7-3.1 億元,業(yè)績符合預期。

刻蝕設(shè)備市占率進一步提高帶動Q2 業(yè)績增長23Q2 公司刻蝕設(shè)備在國內(nèi)外市占率不斷提升,單季收入為9.1 億元,YoY+55%,營收比重為69.7%。公司MOCVD 設(shè)備領(lǐng)先優(yōu)勢持續(xù)鞏固,單季實現(xiàn)收入1.3 億元,YoY-34%,營收占比為10%。Q2 歸母凈利潤環(huán)比增幅較大系公司出售拓荊科技股票產(chǎn)生非經(jīng)常性收益4.06 億元。

CCP 和ICP 工藝齊升級,先進邏輯&3D NAND 空間進一步打開1)CCP:已進入2D 和3D 存儲產(chǎn)線。大馬士革(28nm 及以下邏輯)和高深寬比(存儲)工藝攻關(guān),取得良好進展。用于大馬士革工藝的CCP 刻蝕機Primo SD-RIE 目前已經(jīng)進入客戶驗證階段;超高深比刻蝕機已在客戶端驗證出具有刻蝕≥60:1 深寬比結(jié)構(gòu)的能力,有望在未來存儲擴產(chǎn)中發(fā)揮至關(guān)重要作用。2)ICP:工藝覆蓋超100 個環(huán)節(jié),在先進封裝、2.5D封裝、MCU、MEMS 微機電系統(tǒng)等領(lǐng)域獲得批量重復訂單,在12 寸3D 芯片的硅通孔刻蝕工藝上驗證成功,并在歐洲客戶12 寸微機電系統(tǒng)芯片線上獲認證機會,有望打開新市場。23H1,公司在單臺機Nanov SE 的基礎(chǔ)上,推出高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕的Nanova VE(目前已在DRAM 客戶產(chǎn)線上驗證成功)和高均勻性高深寬比刻蝕的Nanova LUX 兩種ICP 設(shè)備,進一步擴展了ICP 的驗證工藝范圍。

內(nèi)生+外延打造高端裝備平臺企業(yè)

1)內(nèi)生:公司開發(fā)的鎢CVD 具備優(yōu)秀的階梯覆蓋率和填充能力,能夠滿足先進邏輯器件、64/128 層3D NAND 中多個關(guān)鍵應用,目前正在存儲客戶端驗證;正在開發(fā)的ALD 鎢設(shè)備,已和關(guān)鍵客戶開始對接驗證,用于高端存儲和邏輯器件的ALD 氮化鈦設(shè)備也在穩(wěn)步推進,預計23H2 發(fā)往客戶端進行量產(chǎn)驗證;SiC 功率器件的外延設(shè)備研發(fā)進展順利,樣機即將在客戶端驗證;此外,公司正籌劃更先進制程的薄膜設(shè)備。2)對外投資:2022 年公司對睿勵增資1.08 億元,并0.43 億元受讓睿勵老股東股權(quán)。睿勵12 寸量測已進入至28nm 及以上制程產(chǎn)線,14nm 驗證中,并支持64 層3D NAND 生產(chǎn)、96 層工藝驗證中。

投資建議

公司刻蝕設(shè)備在國內(nèi)外市占率穩(wěn)步提升,多產(chǎn)品驗證順利。我們上調(diào)公司2023/24/25 年歸母凈利預測為16/18/22 億元(此前23/24/25 年歸母凈利為14/18/22 億元),對應PE 為51/45/36 倍,考慮到公司作為國內(nèi)刻蝕、MOCVD 設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)之一,技術(shù)實力國內(nèi)領(lǐng)先,維持“買入”評級。

風險提示

行業(yè)景氣不及預期,研發(fā)進展不及預期,客戶處產(chǎn)品驗證不及預期。

關(guān)鍵詞:

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