貝茵凱“第七代大功率IGBT產(chǎn)品”12英寸晶圓成功下線

2023-08-29 14:24:05 來源：面包芯語

評(píng)論

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文

(相關(guān)資料圖)

貝茵凱成立于2022年5月，位于北京集成電路研發(fā)和總部基地，專注先進(jìn)功率器件設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造與相關(guān)產(chǎn)品集成。其核心產(chǎn)品為1.6微米Pitch的第七代硅基IGBT大功率芯片和碳化硅MOSFET功率芯片。貝茵凱創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕多年，擁有豐富的研發(fā)技術(shù)與產(chǎn)業(yè)資源。

據(jù)悉，貝茵凱“第七代大功率IGBT產(chǎn)品——12英寸晶圓”采用先進(jìn)技術(shù)，優(yōu)化和改進(jìn)了傳統(tǒng)IGBT制備工藝，對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了創(chuàng)新與調(diào)整。貝茵凱以車規(guī)級(jí)芯片標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)大芯片，相比按照傳統(tǒng)工藝開發(fā)的芯片而言，可靠性可提升30%以上，并可適配各種惡劣工作場(chǎng)景。工業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域也可享受到更高可靠性的車規(guī)級(jí)芯片。

來源：集微網(wǎng)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn)；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場(chǎng)將達(dá)35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場(chǎng)需求增長(zhǎng)到21億美元。近年來，國(guó)內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項(xiàng)目，全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目約26個(gè)，國(guó)外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場(chǎng)，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場(chǎng)；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進(jìn)最為迅速，國(guó)內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點(diǎn)關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項(xiàng)目投資，碳化硅、氮化鎵長(zhǎng)晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)與項(xiàng)目。

會(huì)議主題包括但不限于

國(guó)際形勢(shì)對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇

6寸與8寸SiC項(xiàng)目投資與市場(chǎng)需求

SiC長(zhǎng)晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項(xiàng)目實(shí)踐

8英寸SiC國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程和技術(shù)突破

SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進(jìn)展

大尺寸GaN長(zhǎng)晶難點(diǎn)及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進(jìn)展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用